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J-GLOBAL ID：200902275901901482   整理番号：09A0537445

Zn終端ZnO(0001)上Cu₂O被覆層の形成とキャラクタリゼーション

Formation and characterization of the Cu₂O overlayer on Zn-terminated ZnO(0001)

著者 (3件)： OZAWA K. (Dep. of Chemistry and Materials Sci., Tokyo Inst. of Technol., 2-12-1 Ookayama, Meguro-ku, Tokyo 152-8551, JPN) ,  OBA Y. (Dep. of Chemistry, Rikkyo Univ., Nishi-Ikebukuro, Toshima-ku, Tokyo 171-8501, JPN) ,  EDAMOTO K. (Dep. of Chemistry, Rikkyo Univ., Nishi-Ikebukuro, Toshima-ku, Tokyo 171-8501, JPN)
資料名： Surface Science  (Surface Science)
巻： 603  号： 13  ページ： 2163-2170  発行年： 2009年07月01日 
JST資料番号： C0129B  ISSN： 0039-6028  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 低エネルギー電子回折,X線光電子分光,シンクロトロン放射励起角度分解光電子分光法を用いて,Zn終端ZnO(0001)面上Cu酸化物被覆層を特性評価した。ZnO(0001)-Zn表面上のCu蒸着は(111)最上テラスをもつCuクラスタの形成を生じた。O₂雰囲気(1.3×10^-4Pa)中650Kでの焼なましによるこれらのクラスタの酸化は,(111)配向した秩序化Cu₂O被覆層をもたらした。Cu₂O(111)被覆層の良好な結晶度はCu₂O価電子バンドの一つのエネルギー分散によって証明される。Cu₂O(111)膜はFermi準位下0.1eVに価電子バンド最大(VBM)をもつ強いp型半導体性質を表している。Cu₂O(111)/ZnO(0001)-Zn界面におけるZnOのVBMは2.4eVであると推定され,2.3eVの価電子バンドオフセットをもたらす。Copyright 2009 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 亜鉛 ,  成端 ,  酸化亜鉛 ,  *酸化第一銅 ,  *被覆層 ,  *キャラクタリゼーション ,  低速電子回折 ,  X線光電子分光法 ,  シンクロトロン放射 ,  角度分解分光法 ,  光電子分光法 ,  銅 ,  蒸着 ,  クラスタ ,  表面テラス ,  酸素 ,  焼なまし ,  酸化 ,  優先配向 ,  規則化 ,  結晶度 ,  *価電子バンド ,  エネルギー散逸 ,  Fermi準位 ,  P型半導体 ,  結晶面
準シソーラス用語： 角度分解光電子分光法

分類 (3件)： 塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (6件)： Zn ,  終端 ,  ZnO ,  Cu2O ,  被覆層 ,  キャラクタリゼーション