文献

J-GLOBAL ID：200902276049362304   整理番号：04A0651697

ナノスケールデバイス用途のための酸化タンタル誘電体薄膜のCVD

CVD of Tantalum Oxide Dielectric Thin Films for Nanoscale Device Applications

著者 (7件)： ZENG W (SUNY, New York, USA) ,  EISENBRAUN E (SUNY, New York, USA) ,  FRISCH H (SUNY, New York, USA) ,  SULLIVAN J J (SUNY, New York, USA) ,  KALOYEROS A E (SUNY, New York, USA) ,  MARGALIT J (H.C. Starck, Inc., Massachusetts, USA) ,  BECK K (H.C. Starck, GmbH, Goslar, DEU)
資料名： Journal of the Electrochemical Society  (Journal of the Electrochemical Society)
巻： 151  号： 8  ページ： F172-F177  発行年： 2004年 
JST資料番号： C0285A  ISSN： 1945-7111  CODEN： JESOAN  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： サブ100nmに向けて200mmウエハツールプラットフォーム...

シソーラス用語： 超LSI ,...
準シソーラス用語： 圧力依存性

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分類 (4件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  固-気界面一般  (CB12041H) ,  塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

物質索引 (1件)： タンタル(V)ペンタエトキシド

タイトルに関連する用語 (4件)： 用途 ,  酸化タンタル ,  誘電体薄膜 ,  CVD