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J-GLOBAL ID:200902277048547757   整理番号:09A0116021

ポリフルオレン-フェニレンベース発光ダイオードにおけるエレクトロルミネセンス劣化に与える電気的動作条件と活性層厚さの影響

Influence of electrical operating conditions and active layer thickness on electroluminescence degradation in polyfluorene-phenylene based light emitting diodes
著者 (7件):
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巻: 53  号:ページ: 211-217  発行年: 2009年02月 
JST資料番号: H0225A  ISSN: 0038-1101  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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poly-[9,9-bis(6’-cyanohexyl)-2,7-fluorene-alt-co-1,4-phenylene],[PFP:(CN)2]に基づく高分子発光ダイオードのエレクトロルミネセンス特性に与える電気的動作条件(印加電圧または電流)と活性層厚さの影響を調べた。異なる活性層厚(55~140nm)のダイオードを製作して調査した。定常バイアスと電流におけるスペクトルの時間変化を電流に対するスペクトル変化と同様に行った。固有遷移と欠陥関連遷移を区別するために励起フォトルミネセンスを用いた。欠陥から生じる相対的スペクトル領域を異なるデバイス励起に対するGauss型デコンボリューションの方法によって定量化した。活性層厚さは放射性スペクトル形に重要な働きをすることが観察された。厚い試料ではELはpristine材料からの蛍光に類似している傾向がある。対照的に薄い試料では欠陥に関連する二つの付加的バンドをはっきりと示している。一つは470~510nmの範囲にあり活性層における電子の蓄積によるものとされている。535nmの第二バンドは酸素の存在による鎖上ケト欠陥から生じる。スペクトルの形に対するPEDOT:PSSの電子阻止特性の働きを酸素濃度に対する活性層厚さの影響と共に検討した。Copyright 2009 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (1件):
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発光素子 

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