文献

J-GLOBAL ID：200902277152865612   整理番号：09A0759088

GaNの過渡的原子挙動と表面カイネティクス

Transient atomic behavior and surface kinetics of GaN

著者 (5件)： MOSELEY Michael (School of Electrical and Computer Engineering, Georgia Inst. of Technol., Atlanta, Georgia 30332-0250, USA) ,  BILLINGSLEY Daniel (School of Electrical and Computer Engineering, Georgia Inst. of Technol., Atlanta, Georgia 30332-0250, USA) ,  HENDERSON Walter (School of Electrical and Computer Engineering, Georgia Inst. of Technol., Atlanta, Georgia 30332-0250, USA) ,  TRYBUS Elaissa (School of Electrical and Computer Engineering, Georgia Inst. of Technol., Atlanta, Georgia 30332-0250, USA) ,  DOOLITTLE W. Alan (School of Electrical and Computer Engineering, Georgia Inst. of Technol., Atlanta, Georgia 30332-0250, USA)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 106  号： 1  ページ： 014905  発行年： 2009年07月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaNの表面に吸着された金属原子の過渡的挙動の詳細なモデルを開発した。このモデルは,金属変調エピタクシー(MME)を利用した分子ビームエピタクシー(MBE)によって成長させたGaNの種々の成長条件に対して記録した,過渡反射高速電子回折(RHEED)信号の定性分析を用いて作成された。窒素吸着層における初期の脱着およびGaの単一層,2重層と液滴の形成のような詳細をRHEEDによってモニターし,Gaフラックスおよびシャッタサイクルに関連付けた。ここで提案したモデルによってGaNの表面カイネティクスの理解が進み,これらの表面のカイネティクス発展をモニターする直接法が与えられ,その場成長速度を決定する新しい方法が導入された。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *MBE成長 ,  *窒化ガリウム ,  化合物半導体 ,  *吸着 ,  RHEED ,  解析モデル ,  過渡現象 ,  成長速度 ,  表面 ,  半導体薄膜

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体の表面構造  (BK15030A) ,  物理的手法を用いた吸着の研究  (CB12043P)

タイトルに関連する用語 (3件)： GaN ,  原子 ,  挙動