温度勾配方式の有機金属化学気相成長によるIn<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>N/GaN MQW内における微細構造とV欠陥形成に関する検討

JOHNSON M.C.; LILIENTAL-WEBER Z.; ZAKHAROV D.N.; MCCREADY D.E.; JORGENSON R.J.; WU J.; SHAN W.; BOURRET-COURCHESNE E.D.

文献

J-GLOBAL ID：200902277309396166 整理番号：05A0546509

温度勾配方式の有機金属化学気相成長によるIn_xGa_1-xN/GaN MQW内における微細構造とV欠陥形成に関する検討

Investigation of Microstructure and V-Defect Formation in In_xGa_1-xN/GaN MQW Grown Using Temperature-Gradient Metalorganic Chemical Vapor Deposition

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資料名：
巻： 34 号： 5 ページ： 605-611 発行年： 2005年05月
JST資料番号： D0277B ISSN： 0361-5235 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

温度勾配有機金属化学気相成長(MOCVD)法を用いて,ウエハ...

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半導体薄膜 , 半導体の格子欠陥

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温度勾配方式の有機金属化学気相成長によるInxGa1-xN/GaN MQW内における微細構造とV欠陥形成に関する検討

温度勾配方式の有機金属化学気相成長によるIn_xGa_1-xN/GaN MQW内における微細構造とV欠陥形成に関する検討