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J-GLOBAL ID：200902277895161130   整理番号：03A0351755

表面組織化インジウムすず酸化膜透明オーミックコンタクトを用いたInGaN-GaN発光ダイオードの改善

Improvement of InGaN-GaN Light-Emitting Diodes With Surface-Textured Indium-Tin-Oxide Transparent Ohmic Contacts

著者 (5件)： PAN S-M (Industrial Technol. Res. Inst., Taiwan, CHN) ,  TU R-C (Industrial Technol. Res. Inst., Taiwan, CHN) ,  FAN Y-M (Industrial Technol. Res. Inst., Taiwan, CHN) ,  YEH R-C (Industrial Technol. Res. Inst., Taiwan, CHN) ,  HSU J-T (Industrial Technol. Res. Inst., Taiwan, CHN)
資料名： IEEE Photonics Technology Letters  (IEEE Photonics Technology Letters)
巻： 15  号： 5  ページ： 649-651  発行年： 2003年05月 
JST資料番号： T0721A  ISSN： 1041-1135  CODEN： IPTLEL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高輝度GaNベース発光ダイオード(LED)を作成するためには...

シソーラス用語： *発光ダイオード ,...
準シソーラス用語： パワー ,...

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分類 (1件)： 発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (8件)： 表面組織 ,  インジウム ,  すず ,  酸化膜 ,  オーミックコンタクト ,  InGaN ,  GaN ,  発光ダイオード