テトラメチルシラン+H<sub>2</sub>を用いたイオン支援プラズマ化学蒸着によるSiC膜の堆積

YOSHINO M.; SHIMOZUMA M.; DATE H.; ITOH H.; TAGASHIRA H.

文献

J-GLOBAL ID：200902277939634251 整理番号：05A0825793

テトラメチルシラン+H₂を用いたイオン支援プラズマ化学蒸着によるSiC膜の堆積

Deposition of SiC films by ion-enhanced plasma chemical vapor deposition using tetramethylsilane+H₂

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巻： 492 号： 1-2 ページ： 207-211 発行年： 2005年12月01日
JST資料番号： B0899A ISSN： 0040-6090 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

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