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J-GLOBAL ID：200902278076379238   整理番号：06A0394297

4H-SiCで作製した逆耐圧が1.2kVのJBS整流器の解析

Analysis of 1.2kV JBS rectifiers fabricated in 4H-SiC

著者 (5件)： PEREZ R (CSIC, Bellaterra, ESP) ,  MESTRES N (CSIC, Bellaterra, ESP) ,  VELLVEHI M (CSIC, Bellaterra, ESP) ,  GODIGNON P (CSIC, Bellaterra, ESP) ,  MILLAN J (CSIC, Bellaterra, ESP)
資料名： Semiconductor Science and Technology  (Semiconductor Science and Technology)
巻： 21  号： 5  ページ： 670-676  発行年： 2006年05月 
JST資料番号： E0503B  ISSN： 0268-1242  CODEN： SSTEET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 4H-SiCで作製した逆耐圧が1.2kVの接合障壁Schot...

シソーラス用語： 絶縁耐力 ,...
準シソーラス用語： サージ電流

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分類 (2件)： 半導体-金属接触  (BM03084G) ,  ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (5件)： 4H-SiC ,  作製 ,  耐圧 ,  整流器 ,  解析