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J-GLOBAL ID：200902278098430342   整理番号：06A0177881

軽ドープ基板上の高誘電率の誘電体とTaNゲートを用いたGeのn-MOSFET

Ge n-MOSFETs on Lightly Doped Substrates With High-κ Dielectric and TaN Gate

著者 (6件)： BAI W. P. (Univ. Texas at Austin, TX, USA) ,  LU N. (Univ. Texas at Austin, TX, USA) ,  RITENOUR A. (Massachusetts Inst. Technol., MA, USA) ,  LEE M. L. (Massachusetts Inst. Technol., MA, USA) ,  ANTONIADIS D. A. (Massachusetts Inst. Technol., MA, USA) ,  KWONG D.-L. (Univ. Texas at Austin, TX, USA)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 27  号： 3  ページ： 175-178  発行年： 2006年03月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 将来の高速CMOS技術においては,GeがSiよりもキャリア移...

シソーラス用語： *MOSFET ,...

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： ドープ ,  高誘電率 ,  誘電体 ,  ゲート ,  Ge ,  MOSFET