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J-GLOBAL ID：200902278236305899   整理番号：09A0429383

20nmのパターン化したGaAs上に成長させたInAs量子ドットに基づく赤外p-i-nフォトダイオード

Infrared p-i-n photodiodes based on InAs quantum dots grown on 20 nm patterned GaAs

著者 (14件)： ALIZADEH Azar (GE Global Res., Niskayuna, New York 12309, USA) ,  HAYS David (GE Global Res., Niskayuna, New York 12309, USA) ,  KEIMEL Chris (GE Global Res., Niskayuna, New York 12309, USA) ,  WATKINS Vicki H. (GE Global Res., Niskayuna, New York 12309, USA) ,  CONWAY Ken R. (GE Global Res., Niskayuna, New York 12309, USA) ,  TAYLOR Seth T. (GE Global Res., Niskayuna, New York 12309, USA) ,  NEANDER Rosalyn (GE Global Res., Niskayuna, New York 12309, USA) ,  DENAULT Lauraine (GE Global Res., Niskayuna, New York 12309, USA) ,  DESOUZA Christina (Dep. of Material Sci., Univ. of Toronto, Ontario M5S 3E4, CAN) ,  SAVELIEV Igor (Dep. of Material Sci., Univ. of Toronto, Ontario M5S 3E4, CAN) ,  BLUMIN Marina (Dep. of Material Sci., Univ. of Toronto, Ontario M5S 3E4, CAN) ,  RUDA Harry E. (Dep. of Material Sci., Univ. of Toronto, Ontario M5S 3E4, CAN) ,  BRAUNSTEIN Edit (Lockheed Martin, Missiles and Fire Control, Orlando, Florida 32819, USA) ,  JONES Colin (Lockheed Martin, Missiles and Fire Control, Orlando, Florida 32819, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 94  号： 16  ページ： 163112  発行年： 2009年04月20日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ブロック共重合体リソグラフィーを使って20nm細孔の六角形配列をパターン化したGaAs基板上にInAs量子ドットの選択領域成長を報告する。その成長機構を,核形成を増大するAlGaAs層の関数として,生じる形態の変動に注目して論じた。また,単層のナノパターン化成長したInAs量子ドット素子に基づくp-i-nフォトダイオードの光電子性能を評価した。低いから中間の逆バイアスにおいて,近および中間IR領域両方で室温の光応答を観測した。高いバイアスでは,利得因子が~4000の中間IR領域における強いアバランシェ効果を観測した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： ヒ化ガリウム ,  化合物半導体 ,  *ヒ化インジウム ,  量子ドット ,  プラズマCVD ,  薄膜成長 ,  *PIN接合 ,  *フォトダイオード ,  アバランシェフォトダイオード ,  核形成 ,  アルミニウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  ヒ化物 ,  パターン形成 ,  バイアス ,  利得
準シソーラス用語： 光応答

分類 (2件)： ダイオード  (NC03050R) ,  発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (5件)： GaAs ,  成長 ,  InAs量子ドット ,  赤外 ,  フォトダイオード