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J-GLOBAL ID：200902278507141110   整理番号：09A0647572

Kelvinプローブ力顕微鏡によって確認したZnMgO/ZnOから成るヘテロ構造のバンドプロフィル

Band profiles of ZnMgO/ZnO heterostructures confirmed by Kelvin probe force microscopy

著者 (13件)： TAMPO H. (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, JPN) ,  SHIBATA H. (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, JPN) ,  MAEJIMA K. (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, JPN) ,  CHIU T.-w. (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, JPN) ,  ITOH H. (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, JPN) ,  YAMADA A. (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, JPN) ,  MATSUBARA K. (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, JPN) ,  FONS P. (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, JPN) ,  CHIBA Y. (Tokyo Univ. of Sci., 2641 Yamazaki, Noda, Chiba 278-8510, JPN) ,  WAKAMATSU T. (Tokyo Univ. of Sci., 2641 Yamazaki, Noda, Chiba 278-8510, JPN) ,  TAKESHITA Y. (Tokyo Univ. of Sci., 2641 Yamazaki, Noda, Chiba 278-8510, JPN) ,  KANIE H. (Tokyo Univ. of Sci., 2641 Yamazaki, Noda, Chiba 278-8510, JPN) ,  NIKI S. (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 94  号： 24  ページ： 242107  発行年： 2009年06月15日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Kelvinプローブ力顕微鏡によって表面ポテンシャルを測定することによって,ZnMgO/ZnOから成るヘテロ構造のバンドプロフィルを明確にした。バンドプロフィルに関する単純なモデルを提案し,そのモデルに基づいていろいろなバンドパラメータを実験および理論の両面から評価した。Schroedinger-Poisson方程式を用いてバンドプロフィルを計算し,実験結果が正当であることを確認することができた。得られたバンドパラメータに基づいて,ZnMgO/ZnOから成るヘテロ構造における2次元電子ガスの起源として考えられているZnMgOにおける表面ドナー状態のエネルギー準位を評価した。評価したエネルギー準位は殆ど同じで,Mgの組成xが0.12から0.42までの組成域に亘って,Zn_1-xMg_xO層のエネルギー準位は0.8eVであることが分かった。また,この場合の電荷密度は8×10¹²cm^-2であることが分かった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 力顕微鏡 ,  Kelvin法 ,  *酸化物 ,  亜鉛化合物 ,  マグネシウム化合物 ,  *酸化亜鉛 ,  化合物半導体 ,  *ヘテロ接合 ,  バンド構造 ,  Schroedinger方程式 ,  Poisson方程式 ,  ドナー ,  エネルギー準位 ,  濃度依存性 ,  電荷分布 ,  密度
準シソーラス用語： Kelvinプローブ力顕微鏡 ,  電荷密度

分類 (1件)： 13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P)

タイトルに関連する用語 (5件)： Kelvinプローブ力顕微鏡 ,  ZnO ,  ヘテロ構造 ,  バンド ,  プロフィル