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J-GLOBAL ID：200902278571143658   整理番号：07A0777162

直流アーク放電を用いたイオンめっきにより調製した厚さ100nm以下の低抵抗GaドープZnO薄膜

Low resistivity Ga-doped ZnO thin films of less than 100 nm thickness prepared by ion plating with direct current arc discharge

著者 (6件)： YAMADA Takahiro (Kochi Univ. of Technol., 185, Miyanokuchi, Tosayamada, Kami, Kochi 782-8502, JPN) ,  MIYAKE Aki (Kochi Univ. of Technol., 185, Miyanokuchi, Tosayamada, Kami, Kochi 782-8502, JPN) ,  KISHIMOTO Seiichi (Kochi Univ. of Technol., 185, Miyanokuchi, Tosayamada, Kami, Kochi 782-8502, JPN) ,  MAKINO Hisao (Kochi Univ. of Technol., 185, Miyanokuchi, Tosayamada, Kami, Kochi 782-8502, JPN) ,  YAMAMOTO Naoki (Kochi Univ. of Technol., 185, Miyanokuchi, Tosayamada, Kami, Kochi 782-8502, JPN) ,  YAMAMOTO Tetsuya (Kochi Univ. of Technol., 185, Miyanokuchi, Tosayamada, Kami, Kochi 782-8502, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 91  号： 5  ページ： 051915-051915-3  発行年： 2007年07月30日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 低抵抗GaドープZnO薄膜を,直流アーク放電を用いたイオンめ...

シソーラス用語： 化合物半導体 ,...
準シソーラス用語： 結晶配向

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分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (8件)： 直流 ,  アーク放電 ,  イオンめっき ,  調製 ,  低抵抗 ,  Ga ,  ドープ ,  ZnO薄膜