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J-GLOBAL ID：200902279279755940   整理番号：09A0004668

3次元マルチチップパッケージにおけるSi貫通ビア相互接続のためのCu拡散に対するバリア層としての3-アミノプロピルトリエトキシシランを用いたSiO₂上のNi-B無電解めっき

Electroless Ni-B plating on SiO₂ with 3-aminopropyl-triethoxysilane as a barrier layer against Cu diffusion for through-Si via interconnections in a 3-dimensional multi-chip package

著者 (4件)： IKEDA Akihiro (Graduate School of Information Sci. and Electrical Engineering, Kyushu Univ., Moto-oka 744 Nishi-ku, Fukuoka, JPN) ,  SAKAMOTO Atsushi (Graduate School of Information Sci. and Electrical Engineering, Kyushu Univ., Moto-oka 744 Nishi-ku, Fukuoka, JPN) ,  HATTORI Reiji (Graduate School of Information Sci. and Electrical Engineering, Kyushu Univ., Moto-oka 744 Nishi-ku, Fukuoka, JPN) ,  KUROKI Yukinori (Graduate School of Information Sci. and Electrical Engineering, Kyushu Univ., Moto-oka 744 Nishi-ku, Fukuoka, JPN)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 517  号： 5  ページ： 1740-1745  発行年： 2009年01月01日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 3次元マルチチップパッケージにおけるSi貫通ビア(TSV)相互接続のためのCu拡散に対するバリア層としての無電解Ni-BをSiO₂上にめっきした。深いビアのSiO₂側壁の全領域に,3-アミノプロピルトリエトキシシランの気相前堆積によって無電解Ni-Bを,SiO₂上に堆積した。Ni-B/CuによってめっきしたSi基板におけるキャリア寿命は,400°Cまで熱処理温度増加とともに減少しなかった。キャリア寿命の低下が無かったことは,Cu原子はNiBを通ってSi中に拡散しなかったことを示した。無電解Ni-Bの利点(良好なコンフォーマル蒸着およびCuに対して有効な拡散バリア形成)は,これを3次元マルチチップパッケージにおけるTSV相互接続に対するバリア層として有用なものとした。Copyright 2008 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *無電解めっき ,  *ニッケル合金 ,  ホウ素含有合金 ,  *拡散障壁 ,  相互接続 ,  マルチチップ実装 ,  銅 ,  金属薄膜 ,  脂肪族アミン ,  有機ケイ素化合物 ,  第一アミン
準シソーラス用語： Cu ,  *ニッケル基合金

分類 (2件)： 混成集積回路  (NC03163K) ,  無電解めっき  (WC08024S)

物質索引 (1件)： (3-アミノプロピル)トリエトキシシラン

タイトルに関連する用語 (9件)： 3次元 ,  Si貫通ビア ,  相互接続 ,  Cu ,  拡散 ,  バリア層 ,  アミノプロピルトリエトキシシラン ,  SiO2 ,  無電解めっき