p型GaAs基板上に分子ビームエピタクシーで成長させたZnSSeのn<sub>+</sub>-i-p構造の高利得で高感度の青-紫外アバランシュフォトダイオード(APD)

ABE Tomoki; ANDO Koshi; IKUMI Katsushi; MAETA Hiroyasu; NARUSE Junji; MIKI Kouhei; EHARA Akihiro; KASADA Hirofumi

文献

J-GLOBAL ID：200902279322074022 整理番号：05A0541020

p型GaAs基板上に分子ビームエピタクシーで成長させたZnSSeのn₊-i-p構造の高利得で高感度の青-紫外アバランシュフォトダイオード(APD)

High Gain and High Sensitive Blue-Ultraviolet Avalanche Photodiodes (APDs) of ZnSSe n⁺-i-p Structure Molecular Beam Epitaxy (MBE) Grown on p-type GaAs Substrates

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資料名：
巻： 44 号： 16-19 ページ： L508-L510 発行年： 2005年05月10日
JST資料番号： F0599B ISSN： 0021-4922 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

高利得で高感度の青-紫外アバランシュフォトダイオード(APD...

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13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合 , 光導電素子

引用文献 (14件)：

1) H. Ishikura, N. Fukuda, M. Itoi, K. Yasumoto, T. Abe, H. Kasada and K. Ando: J. Cryst. Growth 214/215 (2000) 1130.
2) K. Ando, H. Ishikura, Y. Fukunaga, T. Kubota, H. Maeta, T. Abe and H. Kasada: Phys. Status Solidi B 229 (2002) 1065.
3) T. Abe, H. Maeta, J. Naruse, K. Ikumi, T. Kubota, T. Fujiwara, H. Kasada and K. Ando: Phys. Status Solidi C 1 (2004) 1054.
4) Y. Liu, C. R. Gorla, S. Liang, N. Emanetoglu, Y. Lu, H. Shen and M. Wraback: J. Electron. Mater. 29 (2000) 69.
5) S. Liang, H. Sheng, Y. Liu, Z. Huo, Y. Lu and H. Shen: J. Cryst. Growth 225 (2001) 110.

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p型GaAs基板上に分子ビームエピタクシーで成長させたZnSSeのn+-i-p構造の高利得で高感度の青-紫外アバランシュフォトダイオード(APD)

p型GaAs基板上に分子ビームエピタクシーで成長させたZnSSeのn₊-i-p構造の高利得で高感度の青-紫外アバランシュフォトダイオード(APD)