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J-GLOBAL ID：200902279562921490   整理番号：08A0452360

機能性高密度SRAMのファンドリ適用用の32nm CMOS低消費電力SoCプラットフォーム技術

A 32nm CMOS Low Power SoC Platform Technology for Foundry Applications with Functional High Density SRAM

著者 (40件)： WU Shien-Yang (Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., TWN) ,  CHOU C.W. (Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., TWN) ,  LIN C.Y. (Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., TWN) ,  CHIANG M.C. (Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., TWN) ,  YANG C.K. (Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., TWN) ,  LIU M.Y. (Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., TWN) ,  HU L.C. (Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., TWN) ,  CHANG C.H. (Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., TWN) ,  WU P.H. (Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., TWN) ,  LIN C.I. (Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., TWN) ,  CHEN H.F. (Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., TWN) ,  CHANG S.Y. (Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., TWN) ,  WANG S.H. (Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., TWN) ,  TONG P.Y. (Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., TWN) ,  HSIEH Y.L. (Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., TWN) ,  TONG P.Y. (Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., TWN) ,  LIAW J.J. (Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., TWN) ,  PAN K.H. (Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., TWN) ,  HSIEH C.H. (Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., TWN) ,  CHEN C.H. (Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., TWN) ,  CHENG J.Y. (Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., TWN) ,  YAO C.H. (Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., TWN) ,  WAN W.K. (Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., TWN) ,  LEE T.L. (Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., TWN) ,  HUANG K.T. (Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., TWN) ,  CHEN C.C. (Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., TWN) ,  LIN K.C. (Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., TWN) ,  YEH L.Y. (Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., TWN) ,  KU K.C. (Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., TWN) ,  CHEN S.C. (Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., TWN) ,  CHANG C.W. (Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., TWN) ,  LIN H.J. (Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., TWN) ,  JANG S.M. (Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., TWN) ,  LU Y.C. (Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., TWN) ,  SHIEH J.H. (Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., TWN) ,  TSAI M.H. (Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., TWN) ,  SONG J.Y. (Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., TWN) ,  CHEN K.S. (Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., TWN) ,  CHANG V. (Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., TWN) ,  CHENG S.M. (Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., TWN)
資料名： Technical Digest. International Electron Devices Meeting  (Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 2007 Vol.1  ページ： 263-266  発行年： 2007年 
JST資料番号： C0829B  ISSN： 0163-1918  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 将来のSoCプロセス技術には,高密度埋込みメモリを持ち,ディジタルとアナログ機能を共にサポートすることが必要である。本稿では,最適化した低消費電力,プロセスとコストによる高密度で製造マージンのある,最新のプラットフォーム技術について報告した。この技術は,0.15μm² 6T高密度SRAM,低スタンドバイトランジスタ,アナログ/RF機能とCu/low-k相互接続が特徴で,モバイルSoCへの適用を考慮している。この技術で完全に機能する32nmノードの2Mb SRAMテストチップを製作した。ゲート長が30nmで,NMOSとPMOSで,それぞれ,1.1Vの駆動電流700/380μA/μm,オフ漏れ電流1nA/μmを得た。Nポリ/NウェルMOSバラクタは容量比>5.0を示した。4メタル層で,3.5fF/μm²のMOM容量を得た。

シソーラス用語： *SRAM ,  工場 ,  消費電力 ,  超LSI ,  原価 ,  誘電材料 ,  配線 ,  長さ ,  ゲート【半導体】 ,  電流 ,  駆動回路 ,  漏れ電流 ,  *CMOS構造 ,  積層構造
準シソーラス用語： SOC ,  ゲート長 ,  コスト ,  ファンドリ ,  駆動電流 ,  銅配線 ,  low-k材料

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (8件)： 機能性 ,  高密度 ,  SRAM ,  ファンドリ ,  CMOS ,  低消費電力 ,  SOC ,  プラットフォーム