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J-GLOBAL ID：200902279787827981   整理番号：06A0255539

Si(100)基板上にモノリシック成長したGaSb量子井戸ベースの室温で光学的にポンプするVCSEL(垂直共振表面放射レーザ)

Room-temperature optically-pumped GaSb quantum well based VCSEL monolithically grown on Si(100) substrate

著者 (10件)： BALAKRISHNAN G. (Univ. New Mexico, NM, USA) ,  HUANG S.H. (Univ. New Mexico, NM, USA) ,  KHOSHAKHLAGH A. (Univ. New Mexico, NM, USA) ,  JALLIPALLI A. (Univ. New Mexico, NM, USA) ,  ROTELLA P. (Univ. New Mexico, NM, USA) ,  AMTOUT A. (Univ. New Mexico, NM, USA) ,  KRISHNA S. (Univ. New Mexico, NM, USA) ,  HAINES C.P. (Univ. New Mexico, NM, USA) ,  DAWSON L.R. (Univ. New Mexico, NM, USA) ,  HUFFAKER D.L. (Univ. New Mexico, NM, USA)
資料名： Electronics Letters  (Electronics Letters)
巻： 42  号： 6  ページ： 350-352  発行年： 2006年03月16日 
JST資料番号： A0887A  ISSN： 0013-5194  CODEN： ELLEAK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si基板上にIII-V半導体の光電子素子を集積すると,チップ...

シソーラス用語： 室温 ,...
準シソーラス用語： *VCSEL

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分類 (2件)： 半導体レーザ  (BD04070L) ,  光集積回路,集積光学  (BD06050D)

タイトルに関連する用語 (11件)： Si ,  成長 ,  GaSb ,  量子井戸 ,  室温 ,  光学 ,  VCSEL ,  垂直 ,  共振 ,  放射 ,  レーザ