文献

J-GLOBAL ID：200902279845198752   整理番号：06A0173290

DRAMのワーストビット漏れ電流の直接観察

Direct Observation of Worst-Bit Leakage Currents of DRAM

著者 (7件)： MORI Yuki (Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN) ,  KAMOHARA Shiro (Renesas Technol. Corp., Ibaraki, JPN) ,  MONIWA Masahiro (Renesas Technol. Corp., Ibaraki, JPN) ,  OHYU Kiyonori (Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN) ,  OHYU Kiyonori (Elpida Memory, Inc., Kanagawa, JPN) ,  YAMANAKA Toshiaki (Renesas Technol. Corp., Ibaraki, JPN) ,  YAMADA Ren-ichi (Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 53  号： 2  ページ： 398-400  発行年： 2006年02月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： DRAM密度の増加に対し,低電力消費特性を維持する最も効果的...

シソーラス用語： *DRAM ,...
準シソーラス用語： 禁止帯 ,...

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分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (3件)： DRAM ,  ビット ,  漏れ電流