ウエハ融解AlGaAs/GaAs/GaNヘテロ接合バイポーラトランジスタにおける利得劣化機構

LIAN Chuanxin; XING Huili Grace; WANG Chad S.; BROWN David; MCCARTHY Lee

文献

J-GLOBAL ID：200902279889565841 整理番号：07A0802361

ウエハ融解AlGaAs/GaAs/GaNヘテロ接合バイポーラトランジスタにおける利得劣化機構

Gain degradation mechanisms in wafer fused AlGaAs/GaAs/GaN heterojunction bipolar transistors

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Applied Physics Letters (Applied Physics Letters)

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巻： 91 号： 6 ページ： 063502-1-063502-3 発行年： 2007年08月06日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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