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J-GLOBAL ID：200902280068024204   整理番号：05A0432588

マスクを被せたInP基板上に選択成長した歪InGaAlAs系多重量子井戸レーザ構造のマイクロビーム高分解能X線回折

Microbeam high-resolution x-ray diffraction in strained InGaAlAs-based multiple quantum well laser structures grown selectively on masked InP substrates

著者 (9件)： SIRENKO A. A. (New Jersey Inst. of Technol., New Jersey) ,  KAZIMIROV A. (Cornell Univ., New York) ,  HUANG R. (Cornell Univ., New York) ,  BILDERBACK D. H. (Cornell Univ., New York) ,  O’MALLEY S. (New Jersey Inst. of Technol., New Jersey) ,  GUPTA V. (TriQuint Optoelectronics, Pennsylvania) ,  BACHER K. (TriQuint Optoelectronics, Pennsylvania) ,  KETELSEN L. J. P. (TriQuint Optoelectronics, Pennsylvania) ,  OUGAZZADEN A. (Univ. de Metz/Supelec, Metz, FRA)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 97  号： 6  ページ： 063512.1-063512.7  発行年： 2005年03月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： MOVPEによりInP(001)基板上に選択成長させた多重量...

シソーラス用語： ヒ化物 ,...
準シソーラス用語： MOVPE

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分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (8件)： マスク ,  InP ,  選択成長 ,  歪 ,  InGaAlAs ,  多重量子井戸レーザ ,  マイクロビーム ,  高分解能X線回折