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J-GLOBAL ID：200902280286865164   整理番号：03A0311301

低水素化アモルファスシリコン薄膜の作製とその特性

著者 (5件)： 清水諭 (産総研 薄膜シリコン系太陽電池開発研究ラボ) ,  宮原弘臣 (産総研 薄膜シリコン系太陽電池開発研究ラボ) ,  下沢慎 (産総研 薄膜シリコン系太陽電池開発研究ラボ) ,  近藤道雄 (産総研 薄膜シリコン系太陽電池開発研究ラボ) ,  松田彰久 (産総研 薄膜シリコン系太陽電池開発研究ラボ)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 50th  号： 2  ページ： 994  発行年： 2003年03月27日 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 水素化 ,...

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (3件)： 水素化アモルファスシリコン ,  薄膜 ,  作製