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J-GLOBAL ID：200902280396424937   整理番号：08A1215037

選択的なフォトクロミック可能なジアリールエテンの堆積に基づくマスクレスの金属パターン形成

Metal patterning using maskless vacuum evaporation process based on selective deposition of photochromic diarylethene

著者 (4件)： TAKAGI Rie (Dep. of Arts and Sciences, Fac. of Education, Osaka Kyoiku Univ. and CREST, Japan Sci. and Technol. Agency ...) ,  MASUI Kyoko (Dep. of Arts and Sciences, Fac. of Education, Osaka Kyoiku Univ. and CREST, Japan Sci. and Technol. Agency ...) ,  NAKAMURA Shinichiro (Mitsubishi Chemical Group Sci. and Technol. Res. Center, Inc. and CREST, Japan Sci. and Technol. Agency, Kamoshida ...) ,  TSUJIOKA Tsuyoshi (Dep. of Arts and Sciences, Fac. of Education, Osaka Kyoiku Univ. and CREST, Japan Sci. and Technol. Agency ...)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 93  号： 21  ページ： 213304  発行年： 2008年11月24日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 我々は蒸着用シャドウマスクを使用しない電極と配線をパターニングする方法を開発した。この方法はフォトクロミックなジアリールエテン(DAE)の選択的な金属堆積に基づいている。DAEの光異性化に基づく選択的なMgの堆積に於いて,UV照射で得られた着色したDAEフィルムの上にだけMg原子が堆積し,着色していないフィルムには堆積しない。我々は最小線幅3μmのMgパターニングとパターン化されたカソードの準備を報告する。選択的な金属の堆積は様々な有機電子デバイスの微細な電極や配線の形成に重要なポテンシャルを有している。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *パターン形成 ,  *電極 ,  *配線 ,  *フォトクロミズム ,  オレフィン化合物 ,  芳香族炭化水素 ,  *金属薄膜 ,  *紫外線照射 ,  マグネシウム
準シソーラス用語： ジアリールエテン

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： フォトクロミック ,  ジアリールエテン ,  堆積 ,  マスクレス ,  パターン形成