文献

J-GLOBAL ID：200902280470390993   整理番号：09A0356846

分子線エピタクシーによって成長させたAlN薄膜の作製と急速熱アニーリング

Preparation and rapid thermal annealing of AlN thin films grown by molecular beam epitaxy

著者 (8件)： LIU B. (Key Lab. of Acoustic and Photonic Materials and Devices of Ministry of Education, Wuhan Univ., Wuhan 430072, CHN) ,  LIU B. (School of Physics and Technol., Wuhan Univ., Wuhan 430072, CHN) ,  GAO J. (Key Lab. of Acoustic and Photonic Materials and Devices of Ministry of Education, Wuhan Univ., Wuhan 430072, CHN) ,  GAO J. (School of Physics and Technol., Wuhan Univ., Wuhan 430072, CHN) ,  WU K.m. (Key Lab. of Acoustic and Photonic Materials and Devices of Ministry of Education, Wuhan Univ., Wuhan 430072, CHN) ,  WU K.m. (School of Physics and Technol., Wuhan Univ., Wuhan 430072, CHN) ,  LIU C. (Key Lab. of Acoustic and Photonic Materials and Devices of Ministry of Education, Wuhan Univ., Wuhan 430072, CHN) ,  LIU C. (School of Physics and Technol., Wuhan Univ., Wuhan 430072, CHN)
資料名： Solid State Communications  (Solid State Communications)
巻： 149  号： 17-18  ページ： 715-717  発行年： 2009年05月 
JST資料番号： H0499A  ISSN： 0038-1098  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *窒化アルミニウム ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  *MBE成長 ,  温度依存性 ,  転位【結晶】 ,  表面粗さ ,  X線回折 ,  電子顕微鏡観察 ,  透過型電子顕微鏡 ,  高分解能電子顕微鏡 ,  原子間力顕微鏡 ,  RHEED ,  RTA【熱処理】 ,  格子欠陥

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： 分子線エピタクシー ,  成長 ,  AlN ,  薄膜 ,  作製 ,  急速熱アニーリング