文献

J-GLOBAL ID：200902280490711141   整理番号：08A0557638

マイクロ波プラズマ化学蒸着によるSi基板上で成長した自己組織化されたマイクロ錐体

Self-Organized Microcones Grown on Si Substrate by Microwave Plasma Chemical Vapor Deposition

著者 (5件)： MORIYA Masataka (Univ. Electro-Communications, Tokyo, JPN) ,  MATSUMOTO Yuji (Univ. Electro-Communications, Tokyo, JPN) ,  MIZUGAKI Yoshinao (Univ. Electro-Communications, Tokyo, JPN) ,  KOBAYASHI Tadayuki (Univ. Electro-Communications, Tokyo, JPN) ,  USAMI Kouichi (Univ. Electro-Communications, Tokyo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 47  号： 4 Issue 2  ページ： 3050-3052  発行年： 2008年04月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 自己組織化されたマイクロ錐体を,マイクロ波プラズマ化学蒸着により,n-Si(100)基板上に成長した。二等辺三角形の断面を持つマイクロ錐体は,成功裏にSi基板上に成長し,全てのマイクロ錐体は,殆ど同じサイズを持つことが分かった。X線光電子分光(XPS)の結果から,著者らはこのマイクロ錐体は,薄い炭素ベース材料により覆われた,SiCから構成されることを結論付けた。マイクロ錐体の成長機構モデルを,熱支援電界放射と,マイクロ波プラズマのイオンシース中の電界により加速された,イオンによる照射が,マイクロ錐体の成長に,重要な役割を演じると仮定して導出した。真空中のマイクロ錐体からの,放出電流の電界依存性は,Fowler-Nordheimモデルと一致し,これらのマイクロ錐体は,電界放射配列として使用できることを示している。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： マイクロ波 ,  *プラズマCVD ,  ウエハ【IC】 ,  *自己組織化 ,  *錐体 ,  X線光電子分光法 ,  *炭化ケイ素 ,  基板 ,  ケイ素 ,  *電界放出
準シソーラス用語： Si基板 ,  X線光電子分光 ,  プラズマ化学蒸着

分類 (1件)： 熱電子放出,電界放出  (BM09020S)

引用文献 (7件)：

• H. Busta, J. Pogemiller, and B. Zimmerman: IEEE Trans. Electron Devices 40(1993)1530.
• Y. Yamaoka, T. Goto, M. Nakao, S. Kanemaru, and J. Itoh: Jpn. J. Appl. Phys.34(1995)6932.
• O. Dufour. F. Rochet, F. Stedile, C. Poncey, M. DeCrescenzi, R. Gunnella, and M. Froment: Phys. Rev. B 56(1997)4266.
• S. Mominuzzaman, M. Alam, T. Soga, and T. Jimbo: Diamond Relat. Mater.15(2006)1795.
• M. Moriya, Y. Matsumoto, Y. Mizugaki, T. Kobayashi, and K. Usami: Ext. Abstr. Solid State Devices and Materials, 2007, p. 560.

タイトルに関連する用語 (5件)： マイクロ波プラズマ化学蒸着 ,  Si基板 ,  成長 ,  自己組織化 ,  錐体