文献

J-GLOBAL ID：200902280997021350   整理番号：08A0199264

トランジスタ領域毎に最適化された複数歪技術を用いる45nm高性能・低リークバルクロジックプラットフォーム技術

High-Performance and Low-Leak Bulk Logic Platform Utilizing FET Specific Multiple Stressors with Highly Enhanced Strain for 45-nm CMOS Technology

著者 (23件)： 宮下俊彦 (富士通研) ,  池田圭司 (富士通研) ,  KIM Y. S. (富士通研) ,  山本知成 (富士通研) ,  三本杉安弘 (富士通研) ,  落水洋聡 (富士通研) ,  迫田恒久 (富士通研) ,  南方浩志 (富士通研) ,  早見由香 (富士通研) ,  大越克明 (富士通) ,  島宗洋介 (富士通研) ,  福田真大 (富士通) ,  岡部堅一 (富士通) ,  久保智裕 (富士通) ,  田島貢 (富士通) ,  山本智彦 (富士通) ,  大和田保 (富士通) ,  森年史 (富士通) ,  助川和雄 (富士通研) ,  筑根敦弘 (富士通研) ,  池田和人 (富士通研) ,  加勢正隆 (富士通) ,  杉井寿博 (富士通研)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 107  号： 455(SDM2007 238-247)  ページ： 13-16  発行年： 2008年01月17日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 本論文は45nmノード向けハイパフォーマンスバルクロジックプ...

シソーラス用語： 格子歪 ,...
準シソーラス用語： BEOL

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分類 (3件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (7件)：

• OHTA, H. IEDM Tech. Dig., 2005. 2005, 247
• YAMAMOTO, T. Symp. VLSI Tech. Dig., 2007. 2007, 122
• OHTA, H. Symp. VLSI Tech. Dig., 2007. 2007, 120
• WEI, A. Symp. VLSI Tech. Dig., 2007. 2007, 216
• NII, H. IEDM Tech. Dig., 2006. 2006, 685

タイトルに関連する用語 (4件)： トランジスタ ,  最適化 ,  歪 ,  高性能