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J-GLOBAL ID：200902281027347925   整理番号：09A0822142

ナノスケールの四点プローブ抵抗測定によって直接検出したダマシン銅ワイヤにおける結晶粒散乱

Direct detection of grain boundary scattering in damascene Cu wires by nanoscale four-point probe resistance measurements

著者 (6件)： KITAOKA Yusuke (Dep. of Physics, School of Sci., Univ. of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-0033, JPN) ,  TONO Takeshi (Dep. of Physics, School of Sci., Univ. of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-0033, JPN) ,  YOSHIMOTO Shinya (Dep. of Physics, School of Sci., Univ. of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-0033, JPN) ,  HIRAHARA Toru (Dep. of Physics, School of Sci., Univ. of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-0033, JPN) ,  HASEGAWA Shuji (Dep. of Physics, School of Sci., Univ. of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-0033, JPN) ,  OHBA Takayuki (School of Engineering, Univ. of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-0033, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 95  号： 5  ページ： 052110  発行年： 2009年08月03日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 四つのチップを備えた走査型トンネル顕微鏡における白金の被膜されたカーボンナノチューブ(CNT)チップを用いて,幅の異なるダマシン銅(Cu)ワイヤに関する四端子伝導度測定を行った。CNTチップを用いると,プローブ間隔を70nmまで狭めることが可能で,この値はこれまでの結線ワイヤに関する測定における最も短い間隔である。測定結果から,線幅が減少するとCuの抵抗率が増加することが分かった。これはCuワイヤの結晶粒サイズと同程度のスケールでプローブ間隔を変化させた場合に,個々の結晶粒の境界による散乱が観測された直接的な確証である。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *精密測定 ,  *電気抵抗率 ,  規模 ,  *結晶粒界 ,  キャリア散乱 ,  カーボンナノチューブ ,  チップ ,  走査型トンネル顕微鏡 ,  半導体プロセス ,  *銅
準シソーラス用語： *四端子法 ,  ナノスケール ,  ダマシン配線

分類 (1件)： 金属結晶の電子伝導  (BM03033M)

タイトルに関連する用語 (8件)： ナノスケール ,  プローブ ,  抵抗測定 ,  ダマシン ,  銅 ,  ワイヤ ,  結晶粒 ,  散乱