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J-GLOBAL ID：200902281034836494   整理番号：05A0744377

高電気伝導層上のC軸配向したAlN薄膜の合成: Al,Mo,Ti,TiN,Ni

Synthesis of C-Axis-Oriented AlN Thin Films on High-Conducting Layers: Al, Mo, Ti, TiN, and Ni

著者 (5件)： IRIARTE Gonzalo F. (Uppsala Univ., Uppsala, SWE) ,  BJURSTROEM Johan (Uppsala Univ., Uppsala, SWE) ,  WESTLINDER Joergen (Uppsala Univ., Uppsala, SWE) ,  ENGELMARK Fredrik (Uppsala Univ., Uppsala, SWE) ,  KATARDJIEV Ilia V. (Uppsala Univ., Uppsala, SWE)
資料名： IEEE Transactions on Ultrasonics, Ferroelectrics, and Frequency Control  (IEEE Transactions on Ultrasonics, Ferroelectrics, and Frequency Control)
巻： 52  号： 7  ページ： 1170-1174  発行年： 2005年07月 
JST資料番号： H0369A  ISSN： 0885-3010  CODEN： ITUCER  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 薄膜バルク音響共振器デバイスと薄膜表面音響共振器デバイスを形...

シソーラス用語： *音響共振器 ,...

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分類 (1件)： 共振器  (NC04050Y)

タイトルに関連する用語 (9件)： 電気伝導 ,  c軸配向 ,  AlN ,  薄膜 ,  Al ,  Mo ,  Ti ,  TiN ,  Ni