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J-GLOBAL ID：200902281082735764   整理番号：04A0308351

携帯機器用のゲート漏れ電流抑制回路を持つ90nm低電力32kB埋込みSRAM

A 90-nm Low-Power 32-kB Embedded SRAM With Gate Leakage Suppression Circuit for Mobile Applications

著者 (9件)： NII K (Renesas Technol. Corp., Hyogo, JPN) ,  TSUKAMOTO Y (Renesas Technol. Corp., Hyogo, JPN) ,  YOSHIZAWA T (Renesas Technol. Corp., Hyogo, JPN) ,  IMAOKA S (Renesas Device Design Corp., Hyogo, JPN) ,  YAMAGAMI Y (Matsushita Electric Industrial Corp., Kyoto, JPN) ,  SUZUKI T (Matsushita Electric Industrial Corp., Kyoto, JPN) ,  SHIBAYAMA A (Matsushita Electric Industrial Corp., Kyoto, JPN) ,  MAKINO H (Renesas Technol. Corp., Hyogo, JPN) ,  IWADE S (Osaka Inst. Technol., Osaka, JPN)
資料名： IEEE Journal of Solid-State Circuits  (IEEE Journal of Solid-State Circuits)
巻： 39  号： 4  ページ： 684-693  発行年： 2004年04月 
JST資料番号： B0761A  ISSN： 0018-9200  CODEN： IJSCBC  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 90nm・CMOS技術ノードでは,システムオンチップ(SoC...

シソーラス用語： *SRAM ,...
準シソーラス用語： ゲート漏れ電流 ,...

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分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (5件)： 携帯機器 ,  ゲート漏れ電流 ,  低電力 ,  埋込み ,  SRAM