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J-GLOBAL ID：200902281151766936   整理番号：04A0460197

六方晶窒化ほう素単結晶の直接バンドギャップ特性と紫外レーザ発振の証拠

Direct-bandgap properties and evidence for ultraviolet lasing of hexagonal boron nitride single crystal

著者 (3件)： WATANABE K (National Inst. Materials Sci., Tsukuba, JPN) ,  TANIGUCHI T (National Inst. Materials Sci., Tsukuba, JPN) ,  KANDA H (National Inst. Materials Sci., Tsukuba, JPN)
資料名： Nature Materials  (Nature Materials)
巻： 3  号： 6  ページ： 404-409  発行年： 2004年06月 
JST資料番号： W1364A  ISSN： 1476-1122  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 光記録,光触媒,殺菌,眼科手術あるいはナノ手術等に小型紫外線...

シソーラス用語： *窒化ホウ素 ,...
準シソーラス用語： *禁止帯 ,...

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分類 (3件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  セラミック・磁器の性質  (YC03030G)

タイトルに関連する用語 (5件)： 六方晶窒化ほう素 ,  単結晶 ,  直接バンドギャップ ,  紫外レーザ ,  証拠