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J-GLOBAL ID：200902281246555037   整理番号：09A0773301

In₂O₃/N-InNbO₄複合材料におけるバンド構造の解明と光触媒活性

Band structure design and photocatalytic activity of In₂O₃/N-InNbO₄ composite

著者 (4件)： LV Jun (Eco-materials and Renewable Energy Res. Center (ERERC), National Lab. of Solid State Microstructures, Nanjing 210093 ...) ,  KAKO Tetsuya (Photocatalytic Materials Center (PMC), National Inst. for Materials Sci. (NIMS), 1-2-Sengen, Tsukuba, Ibaraki ...) ,  ZOU Zhigang (Eco-materials and Renewable Energy Res. Center (ERERC), National Lab. of Solid State Microstructures, Nanjing 210093 ...) ,  YE Jinhua (Photocatalytic Materials Center (PMC), National Inst. for Materials Sci. (NIMS), 1-2-Sengen, Tsukuba, Ibaraki ...)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 95  号： 3  ページ： 032107  発行年： 2009年07月20日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,In₂O₃/N-InNbO₄複合体のバンド構造が光励起された電子/正孔対の輸送と分離において有効に働いていると考えた。この化合物の特性を,粉末X線回折,UV-可視光域の拡散反射分光法,透過型電子顕微鏡法およびX線光電子放出分光法によって総合的に評価した。光触媒に関する実験から,可視光(λ>420nm)を照射したIn₂O₃/N-InNbO₄化合物におけるH₂の発生率は27.3μmolh^-1g^-1であることが分かった。この値はIn₂O₃における発生率の18倍,そしてN-InNbO₄の発生率の2.3倍であることが分かった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *酸化インジウム ,  *ニオブ酸塩 ,  インジウム化合物 ,  *複合材料 ,  *バンド構造 ,  光ポンピング ,  電子正孔対 ,  ドーピング ,  窒素 ,  X線回折 ,  反射スペクトル ,  透過型電子顕微鏡 ,  電子顕微鏡観察 ,  X線光電子スペクトル ,  *光触媒 ,  水素発生反応
準シソーラス用語： 光励起 ,  拡散反射スペクトル

分類 (2件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  光化学反応  (CB08020F)

タイトルに関連する用語 (3件)： 複合材料 ,  バンド構造 ,  光触媒活性