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J-GLOBAL ID：200902281409119442   整理番号：08A0560487

イオン注入非晶質シリコンの応力印加固相エピタキシャル成長

Stressed solid-phase epitaxial growth of ion-implanted amorphous silicon

著者 (3件)： RUDAWSKI N.g. (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Univ. of Florida, Gainesville, FL 32611-6400, USA) ,  JONES K.s. (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Univ. of Florida, Gainesville, FL 32611-6400, USA) ,  GWILLIAM R. (Nodus Accelerator Lab., Advanced Technol. Inst., Surrey Ion Beam Centre, Guildford, Surrey GU2 7XH, GBR)
資料名： Materials Science & Engineering. R. Reports  (Materials Science & Engineering. R. Reports)
巻： 61  号： 1-6  ページ： 40-58  発行年： 2008年05月12日 
JST資料番号： T0341A  ISSN： 0927-796X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： イオン注入で作った非晶質(α)シリコンの応力印加固相エピタキシャル成長(SPEG)は固相エピタクシー,固相エピタキシャル再成長,固相エピタキシャル再結晶化そして固相エピタキシャル結晶化などとも呼ぶが,その動力学のレビューを行った。静水圧,面内一軸性および垂直一軸性圧縮応力がSPEGの動力学に及ぼす効果を真性半導体(001)Siで調べた。単一応力依存SPEGモデル中で種々の実験結果をまとめることに特に注意を払った。SPEG動力学は静水圧および垂直一軸性圧縮応力中では類似の指数関数的に増す成長速度を見せることを認めた。しかし面内応力の成長速度への影響に関しては研究者間に食い違いがある。二つの異なる応力依存SPEGモデルがこうして現れたがそれぞれその物理的基盤が違っていた。Aziz他が出したモデルはSPEGを単一原子過程としてモデル化するのに対してRudawski他のモデルでは応力が成長の核形成とマイグレーション過程に対して異なる影響を与えSPEGは一段階としてモデル化はできないと考えた。Rudawski他のモデルの基礎は他の研究者が唱えた結晶島状構造と棚のマイグレーションモデルに立脚している。面内圧縮を伴った成長するα/結晶性界面の形態的な不安定性はAziz他およびRudawski他のモデルがいずれも取り上げている。最後に,Rudawski他のモデルを用いて成長の間の種々の原子的過程を調べ,特徴付けしさらに分離することが可能であった。核形成とマイグレーション過程の活性化エネルギーの計算がOlsenとRothが応力が無いSPEG中での成長速度に関して観測した2.7eVの活性化エネルギーは結晶島状構造核形成の単一原子過程に関する活性化エネルギーの代表であることを示唆する。かくして応力印加SPEGの研究は成長の本質について新しい原子的描像を与える。Copyright 2008 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *イオン注入 ,  *アモルファスシリコン ,  *エピタクシー ,  動力学 ,  一軸 ,  *圧縮応力 ,  真性半導体 ,  核形成 ,  マイグレーション【化学物質】 ,  島状構造 ,  界面 ,  活性化エネルギー ,  *固相エピタキシー
準シソーラス用語： エピタキシャル成長 ,  *非晶質シリコン ,  一軸性

分類 (1件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (5件)： イオン注入 ,  非晶質シリコン ,  応力 ,  印加 ,  固相エピタキシャル成長