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J-GLOBAL ID：200902281457470038   整理番号：08A0979138

3.3kV 4H-SiC PiNダイオードのバイポーラ劣化に対する温度の影響

The effect of the temperature on the Bipolar Degradation of 3.3kV 4H-SiC PiN diodes

著者 (9件)： BROSSELARD P. (CSIC, Barcelona, ESP) ,  PEREZ.TOMAS A. (CSIC, Barcelona, ESP) ,  CAMARA N. (CSIC, Barcelona, ESP) ,  HASSAN J. (Norstel AB, Linkoeping, SWE) ,  JORDA X. (CSIC, Barcelona, ESP) ,  VELLVEHI M. (CSIC, Barcelona, ESP) ,  GODIGNON P. (CSIC, Barcelona, ESP) ,  MILLAN J. (CSIC, Barcelona, ESP) ,  BERGMAN J.P. (Norstel AB, Linkoeping, SWE)
資料名： Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs  (Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs)
巻： 20th  ページ： 237-240  発行年： 2008年 
JST資料番号： W1300A  ISSN： 1943-653X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ワイドバンドギャップ半導体(WBG)は,高温,高出力と高スイッチング速度用としてパワーエレクトロニクスアプリケーション用途して利用されている。現在,材料としてSiCが市販されている。本稿では,Norstelの製作したP⁺/N/N⁺エピタキシャル基板を使って製作したPiNダイオードの特性について報告した。1μAで測定したブレークダウン電圧はアクティブエリア(0.16と2.56mm²)に関係せず3.3kVであった。15A,25°Cにおける微分オン抵抗は1.7mΩmm²であった。ブロッキング電圧500V,300°Cでのスイッチング電流15Aに対して回復チャージはわずか300nCであった。60時間DCストレス(25°C~225°C)後,50%のダイオードが約1Vの電圧シフトを示した。DCストレス後も漏れ電流レベルの変化は無かった。

シソーラス用語： バンドギャップ ,  *PINダイオード ,  *炭化ケイ素 ,  エピタクシー ,  *オン抵抗 ,  漏れ電流 ,  スイッチング素子 ,  パワーエレクトロニクス
準シソーラス用語： 4H-SiC ,  エピタキシャル成長 ,  *ブレークダウン電圧 ,  ワイドバンドギャップ

分類 (2件)： ダイオード  (NC03050R) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (3件)： 4H-SiC ,  PINダイオード ,  バイポーラ