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J-GLOBAL ID：200902281714876040   整理番号：08A0637251

明電舎と産総研,ピュアオゾンジェネレータを開発 プラズマダメージのない低温工程を実現

著者 (1件)： 西沢孝之 (明電舎 基盤技研)
資料名： Semiconductor FPD World  (Semiconductor FPD World)
巻： 27  号： 7  ページ： 98-99  発行年： 2008年06月20日 
JST資料番号： Y0509B  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 明電舎が産総研と共同で開発したピュアオゾンジェネレータ「MPOG-HM1A1」を紹介した。従来,高濃度のオゾンガスを得ることは困難であり,半導体プロセスへの適用ができなかった。本装置は,約100%の超高濃度オゾンガスを発生可能であり,ユースポイントで原子状酸素の発生を精密に制御可能である。ピュアオゾンを用いた代表的な半導体プロセスへの適用例としては,NEDOによる「低温で高品質なSi酸化法と酸化膜CVD法」がある。実験例を紹介した。従来不可能であったSi酸化の室温での実現や200°C以下での良質なSi酸化膜の形成が可能になった。その他にも貫通Via側壁膜への応用など,今後の応用が期待できる。

シソーラス用語： *半導体プロセス ,  酸素 ,  化学蒸着 ,  酸化膜 ,  *濃度 ,  *オゾン
準シソーラス用語： CVD【化学蒸着】 ,  *オゾンガス ,  原子状酸素 ,  *高濃度

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (4件)： 産総研 ,  開発 ,  プラズマダメージ ,  低温