非溶融レーザースパイクアニーリングによるきわめて浅い接合の形成と65-nmノードの相補的金属酸化物半導体デバイスへの応用

SHIMA Akio; HIRAIWA Atsushi

文献

J-GLOBAL ID：200902282174696958 整理番号：06A0594129

非溶融レーザースパイクアニーリングによるきわめて浅い接合の形成と65-nmノードの相補的金属酸化物半導体デバイスへの応用

Ultra-Shallow Junction Formation by Non-Melt Laser Spike Annealing and its Application to Complementary Metal Oxide Semiconductor Devices in 65-nm Node

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巻： 45 号： 7 ページ： 5708-5715 発行年： 2006年07月15日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

従来型の生成流における急速熱アニーリング(RTA)を単純に非...

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固体デバイス製造技術一般

引用文献 (17件)：

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B. Yu, Y. Wang, H. Wang, Q. Xiang, C. Riccobene, S. Talwar and M. Lin: IEDM Tech. Dig., 1999, P. 509.
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K. Tsuji, K. Takeuchi and T. Mogami: Dig. Tech. Pap. Symp. VLSI Technology, 1999, p. 9.
J. Borland and C. Galewski: Proc. Ion Implantation Technology 98, 1998, p. 1211.

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