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J-GLOBAL ID：200902282333488016   整理番号：09A1030385

界面酸化層変調と組み合わせたAl誘起結晶化による絶縁性基板上の配向制御されたSi薄膜

Orientation-controlled Si thin films on insulating substrates by Al-induced crystallization combined with interfacial-oxide layer modulation

著者 (4件)： KUROSAWA Masashi (Dep. of Electronics, Kyushu Univ., 744 Motooka, Fukuoka 819-0395, JPN) ,  KAWABATA Naoyuki (Dep. of Electronics, Kyushu Univ., 744 Motooka, Fukuoka 819-0395, JPN) ,  SADOH Taizoh (Dep. of Electronics, Kyushu Univ., 744 Motooka, Fukuoka 819-0395, JPN) ,  MIYAO Masanobu (Dep. of Electronics, Kyushu Univ., 744 Motooka, Fukuoka 819-0395, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 95  号： 13  ページ： 132103  発行年： 2009年09月28日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 透明な絶縁性基板上に堆積した結晶方位の制御されたSi薄膜は,高効率の薄膜太陽電池を作製する材料として非常に期待されている。界面酸化層の変調されたAl誘起の低温(450°C以下)結晶化法を開発し,この方法によって大きな結晶粒(20~100μm)を持つ,(001)あるいは(111)配向したSi薄膜を作製することができた。これらの結果は,界面酸化Al層の相転移を考慮したモデルに基づいて定性的に説明できた。このプロセスによって,絶縁性基板上に結晶方位の制御されたSiテンプレートが形成され,Siを基本する最新の薄膜太陽電池に必要な高品質のSi膜のエピタキシャル成長が可能となる。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *半導体薄膜 ,  *ケイ素 ,  薄膜成長 ,  結晶方位 ,  基板 ,  透明材料 ,  絶縁材料 ,  結晶粒径 ,  太陽電池 ,  界面 ,  酸化層 ,  変調構造 ,  MBE成長 ,  アルミニウム ,  絶縁体 ,  薄膜太陽電池

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (9件)： 界面 ,  酸化層 ,  変調 ,  Al ,  誘起 ,  結晶化 ,  絶縁性基板 ,  配向制御 ,  Si薄膜