アンモニア熱法を用いたGaN結晶の成長

文献

J-GLOBAL ID：200902282421894652 整理番号：04A0047118

Crystal growth of GaN by ammonothermal method

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巻： 260 号： 1/2 ページ： 67-72 発行年： 2004年01月02日
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

Ga金属前駆体,超臨界アンモニア溶液とNH<sub>4</s...

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半導体の結晶成長

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