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J-GLOBAL ID：200902282473337239   整理番号：08A0578552

TaN/HfO₂/AlNゲート積層を用いた自己整合エンハンスメント-モードIn_0.53Ga_0.47As系MOSFETの作製

Fabrication of Self-Aligned Enhancement-Mode In_0.53Ga_0.47As MOSFETs With TaN/HfO₂/AlN Gate Stack

著者 (6件)： SHAHRJERDI Davood (Univ. Texas at Austin, TX, USA) ,  ROTTER Thomas (Univ. California at Los Angeles, CA, USA) ,  BALAKRISHNAN Ganish (Univ. California at Los Angeles, CA, USA) ,  HUFFAKER Diana (Univ. California at Los Angeles, CA, USA) ,  TUTUC Emanuel (Univ. Texas at Austin, TX, USA) ,  BANERJEE Sanjay K. (Univ. Texas at Austin, TX, USA)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 29  号： 6  ページ： 557-560  発行年： 2008年06月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 原子層堆積法(ALD)成長2.5nm厚AlN界面層を用いて,自己整合反転型エンハンスメント-モード(E-モード)In_0.53Ga_0.47As系nMOSFETを実現し,その特性を評価した。X線光電子分光法(XPS)により,AlN界面層は優れた周波数分散挙動を示した。サブスレッショルド・モデルから,界面捕獲密度は約7~8×10¹²/cm²・eVであると推測した。20μmのゲート長のMOSFET素子は,2Vのゲート電圧で18.5μA/μmの最大駆動電流を得た。I_d-V_gプロットから,10⁴のI_on/I_off比と~165mV/decのサブスレッショルド傾斜を抽出した。さらに駆動電流を改善するためには,ソース/ドレイン活性化とオーミックコンタクトを最適化することが必要である。

シソーラス用語： *自己整合 ,  *ヒ化ガリウムインジウム ,  窒化物 ,  タンタル化合物 ,  酸化ハフニウム ,  *MOSFET ,  窒化アルミニウム ,  ゲート【半導体】 ,  *積層構造 ,  *化学蒸着 ,  モード ,  電流電圧特性 ,  Ohm接触
準シソーラス用語： 原子層蒸着 ,  エンハンスメントモード

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： HfO2 ,  AlN ,  ゲート ,  自己整合 ,  MOSFET ,  作製