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J-GLOBAL ID：200902283010522327   整理番号：04A0320514

シリコン-オン-インシュレータ導波路のRaman増幅における二光子吸収で発生する自由キャリアの役目

Role of free carriers from two-photon absorption in Raman amplification in silicon-on-insulator waveguides

著者 (2件)： LIANG T K (Chinese Univ. Hong Kong, Hong Kong, CHN) ,  TSANG H K (Chinese Univ. Hong Kong, Hong Kong, CHN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 84  号： 15  ページ： 2745-2747  発行年： 2004年04月12日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 標記(SOI)構造の導波路でのRaman放出の測定実験を報告...

シソーラス用語： *光導波路 ,...

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分類 (1件)： 光導波路,光ファイバ,繊維光学  (BD06030H)

タイトルに関連する用語 (7件)： シリコン ,  インシュレータ ,  導波路 ,  Raman増幅 ,  二光子吸収 ,  自由キャリア ,  役目