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J-GLOBAL ID：200902284114320250   整理番号：05A0996476

電子サイクロトロン共鳴プラズマ照射により調製した酸化ゲルマニウム/ゲルマニウム界面の電気的特性評価

Electrical Characterization of Germanium Oxide/Germanium Interface Prepared by Electron-Cyclotron-Resonance Plasma Irradiation

著者 (4件)： FUKUDA Yukio (Tokyo Univ. Sci., Nagano, JPN) ,  UENO Tomoo (Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN) ,  HIRONO Shigeru (NTT AFTY Corp., Tokyo, JPN) ,  HASHIMOTO Satoshi (Texas Instruments Japan Ltd., Ibaraki, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 44  号： 9B  ページ： 6981-6984  発行年： 2005年09月30日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ゲルマニウム金属-絶縁体-半導体のゲート誘電体応用用にプラズ...

シソーラス用語： *電子サイクロトロン共鳴加熱 ,...

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分類 (1件)： 誘電体一般  (BM05010F)

引用文献 (13件)：

• 1) K. Rim, S. Koester, M. Hargrove, J. Chu, P. M. Mooney, J. Ott, T. Kanarsky, P. Ronsheim, M. Ieong, A. Grill and H.-S. P. Wong: Proc. 2001 Symp. VLSI Technology (2001) p. 59.
• 2) G. Hock, E. Kohn, C. Rosenblad, H. von Kanel, H.-J. Herzog and U. Konig: Appl. Phys. Lett. 76 (2000) 3920.
• 3) H. Shang, H. Okorn-Schimdt, J. Ott, P. Kozlowski, S. Steen, E. C. Jones, H.-S. P. Wong and W. Hanesch: IEEE Electron Device Lett. 24 (2003) 242.
• 4) H. Shang, K.-L. Lee, P. Kozlowski, C. D’Emic, I. Babich, E. Sikorski, M. Ieong, H.-S. P. Wong, K. Guarini and W. Hanesch: IEEE Electron Device Lett. 25 (2004) 135.
• 5) J.-P. Han, E. M. Vogel, E. P. Gusev, C. D’Emic, C. A. Richter, D. W. Heh and J. S. Suehle: IEEE Electron Device Lett. 25 (2004) 126.

タイトルに関連する用語 (7件)： 電子サイクロトロン共鳴プラズマ ,  調製 ,  酸化ゲルマニウム ,  ゲルマニウム ,  界面 ,  電気的特性 ,  評価