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J-GLOBAL ID：200902284590479683   整理番号：04A0091118

低圧MOCVD法によるZnを多量にドープしたInGaAsの低温成長

Growth of heavily Zn-doped InGaAs at low temperature by LP-MOCVD

著者 (6件)： LIN T (Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN) ,  JIANG L (Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN) ,  WEI X (Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN) ,  WANG G H (Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN) ,  ZHANG G Z (Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN) ,  MA X Y (Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 261  号： 4  ページ： 490-495  発行年： 2004年02月01日 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 温度550°Cで低圧MOCVDでInP基板上に成長させたIn<...

シソーラス用語： MOCVD ,...

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分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

物質索引 (2件)： ジエチル亜鉛 ,  トリメチルインジウム

タイトルに関連する用語 (6件)： 低圧 ,  MOCVD ,  Zn ,  ドープ ,  InGaAs ,  低温成長