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J-GLOBAL ID：200902285050438348   整理番号：03A0869036

熱蒸着したα-ナフチル-フェニル-ジアミンと化学蒸着ホモエピタキシャルダイヤモンド膜相互間の電荷移動

Charge transfer between thermally deposited α-naphthyl-phenyl-diamine and chemical-vapor-deposited homoepitaxial diamond films

著者 (3件)： CHUN M (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  TERAJI T (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  ITO T (Osaka Univ., Osaka, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 83  号： 23  ページ： 4776-4778  発行年： 2003年12月08日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 標記有機物膜(α-NPD)被覆層の有無をともなうH終端非ドー...

シソーラス用語： 有機半導体 ,...

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分類 (1件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

物質索引 (1件)： N,N′-ジ(1-ナフチル)-N,N′-ジフェニル-1,1′-ビフェニル-4,4′-ジアミン

タイトルに関連する用語 (8件)： 熱蒸着 ,  フェニル ,  ジアミン ,  化学蒸着 ,  ホモ ,  エピタキシャル ,  ダイヤモンド膜 ,  電荷移動