文献

J-GLOBAL ID：200902285112991740   整理番号：06A0147808

原子論的カイネティックモンテカルロシミュレーションによるSi/SiO₂界面におけるほう素とひ素の線量損失と分離

Dose loss and segregation of boron and arsenic at the Si/SiO₂ interface by atomistic kinetic Monte Carlo simulations

著者 (7件)： RUBIO J.E. (Univ. Valladolid, Valladolid, ESP) ,  JARAIZ M. (Univ. Valladolid, Valladolid, ESP) ,  MARTIN-BRAGADO I. (Univ. Valladolid, Valladolid, ESP) ,  MARTIN-BRAGADO I. (Synopsys, Aschheim/Dornach, DEU) ,  CASTRILLO P. (Univ. Valladolid, Valladolid, ESP) ,  PINACHO R. (Univ. Valladolid, Valladolid, ESP) ,  BARBOLLA J. (Univ. Valladolid, Valladolid, ESP)
資料名： Materials Science & Engineering. B. Solid-State Materials for Advanced Technology  (Materials Science & Engineering. B. Solid-State Materials for Advanced Technology)
巻： 124-125  ページ： 392-396  発行年： 2005年12月05日 
JST資料番号： T0553A  ISSN： 0921-5107  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (9件)： カイネティックモンテカルロ ,  シミュレーション ,  Si ,  SiO2 ,  界面 ,  ほう素 ,  ひ素 ,  線量 ,  損失