文献
J-GLOBAL ID：200902285316034825   整理番号：05A0581452

四元InAlGaN系高効率紫外発光ダイオード

Quaternary InAlGaN-based high-efficiency ultraviolet light-emitting diodes
著者 (1件)：
HIRAYAMA Hideki

HIRAYAMA Hideki について

(Inst. of Physical and Chemical Res. (RIKEN), Saitama, JPN)

Inst. of Physical and Chemical Res. (RIKEN), Saitama, JPN について


資料名：
Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)

Journal of Applied Physics について


巻： 97  号： 9  ページ： 091101.1-091101.19  発行年： 2005年05月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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四元窒化物InAlGaNを用いて,紫外波長帯300~350n...
シソーラス用語：
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*発光ダイオード

発光ダイオード について

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MOVPE

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分類 (2件)：
分類
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発光素子 
(NC03082G)

発光素子 について

,  半導体のルミネセンス 
(BM08092S)

半導体のルミネセンス について

タイトルに関連する用語 (2件)：
タイトルに関連する用語
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高効率

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, 
紫外発光ダイオード

紫外発光ダイオード について


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