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J-GLOBAL ID：200902285416917686   整理番号：05A0626031

ふっ化物ベースプラズマ処理を用いた高性能エンハンスメントモードAlGaN/GaN HEMT

High-Performance Enhancement-Mode AlGaN/GaN HEMTs Using Fluoride-Based Plasma Treatment

著者 (4件)： CAI Yong (Hong Kong Univ. Sci. and Technol., Kowloon, HKG) ,  ZHOU Yugang (Hong Kong Univ. Sci. and Technol., Kowloon, HKG) ,  CHEN Kevin J (Hong Kong Univ. Sci. and Technol., Kowloon, HKG) ,  LAU Kei May (Hong Kong Univ. Sci. and Technol., Kowloon, HKG)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 26  号： 7  ページ： 435-437  発行年： 2005年07月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高性能エンハンスメントモード(E-モード)AlGaN/GaN...

シソーラス用語： *HEMT ,...
準シソーラス用語： プラズマプロセシング

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分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (7件)： ふっ化物 ,  プラズマ処理 ,  高性能 ,  エンハンスメントモード ,  AlGaN ,  GaN ,  HEMT