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J-GLOBAL ID：200902285532920902   整理番号：08A1101698

10¹⁹cm^-3以上の非常に高い正孔濃度を持つGaNの金属変調エピタキシャル成長

Metal modulation epitaxy growth for extremely high hole concentrations above 10¹⁹ cm^-3 in GaN

著者 (6件)： NAMKOONG Gon (Applied Res. Center, Old Dominion Univ., Newport News, Virginia 23606, USA) ,  TRYBUS Elaissa (Dep. of Electrical and Computer Engineering, Georgia Inst. of Technol., Atlanta, Georgia 30332-0250, USA) ,  LEE Kyung Keun (Dep. of Electrical and Computer Engineering, Georgia Inst. of Technol., Atlanta, Georgia 30332-0250, USA) ,  MOSELEY Michael (Dep. of Electrical and Computer Engineering, Georgia Inst. of Technol., Atlanta, Georgia 30332-0250, USA) ,  DOOLITTLE W. Alan (Dep. of Electrical and Computer Engineering, Georgia Inst. of Technol., Atlanta, Georgia 30332-0250, USA) ,  LOOK David C. (Semiconductor Res. Center, Wright State Univ., Dayton, Ohio 45435, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 93  号： 17  ページ： 172112  発行年： 2008年10月27日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaNにおける自由正孔の濃度は10¹⁸cm^-3程度が限界である。その理由は,活性化エネルギーが大きく,溶解度が低く,そして欠陥による補償効果のために,ドーピング効率が1%程度に抑えられるからである。本稿では,周期的なドーピング,金属変調エピタキシャル成長法によって,GaNにおけるドーピング効率を10%程度まで増大させた研究結果を報告する。周期的に変調されたGa原子とMgドーパントによって成長させた試料の正孔濃度は1.5×10¹⁹cm^-3以上になることが分かった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： キャリア密度 ,  正孔 ,  *窒化ガリウム ,  変調ドーピング ,  マグネシウム ,  溶解度 ,  活性化エネルギー ,  不純物補償 ,  二次イオン質量分析 ,  濃度分布 ,  エピタクシー ,  化合物半導体 ,  *半導体薄膜 ,  薄膜成長
準シソーラス用語： 濃度プロフィル

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： 正孔濃度 ,  GaN ,  変調 ,  エピタキシャル成長