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J-GLOBAL ID:200902285612547358   整理番号:08A1184732

内殻空孔クロック技術を用いた分子/金属界面を横切る電荷移動

Charge transfer across the molecule/metal interface using the core hole clock technique
著者 (5件):
資料名:
巻: 63  号: 11  ページ: 465-486  発行年: 2008年11月30日 
JST資料番号: E0422B  ISSN: 0167-5729  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 文献レビュー  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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界面電荷移動は,多くの研究分野に関係したトピックであり,分子/金属,分子/半導体,及び分子/分子界面を含む各種界面を横切る電荷移動の性質及び機構をキャラクタライズし,理解しようとする強い科学的興味がある。半導体界面における電荷移動は,色素増感半導体,共役高分子との無機半導体のアセンブリ,及び量子閉じ込め素子を含む,多くの新しい光起電力素子における一次ステップを構成する。分子エレクトロニクスにおいて,分子及び固体構造を通しての電荷の動きは,比較的良く記載されているが,分子/金属接合を横切る電荷移動は,依然として理解が貧弱であり,重要な研究領域を残している。数フェムト秒領域で起こる電荷移動動力学は,最近,研究に成功し,コア準位励起及び減衰に基づいている。共鳴光電子放出分光,あるいは内殻空孔クロック技術,は,内殻空孔寿命に基づいた固有時間スケールを有するポンププローブ技術に類似している。このアプローチに電子-移動動力学の研究にユニークな位置を与えているのは,通常のレーザ分光に使われる数十フェムト秒に較べた,この時間スケールの短さである。さらに,このアプローチは,この技術がコア電子の励起を含むため,コア分光に特有の原子特異性の利点をもつ。この概観において,コア-正孔技術による分子/金属界面を横切る電荷移動動力学に関する最近の研究を要約した。コア-正孔クロック技術を含む,関連励起及び減衰の簡単なモデルに始まって,この技術の原理及び利点を説明した。吟味される事例研究は,いくつかの分子/金属系に焦点を当てた。これらの研究の記述は,分子/金属界面を横切る電荷移動の研究における内殻空孔クロック技術の適合性を説明している。これらの研究の詳細な分析は,さらに,有機エレクトロニクス及び分子エレクトロニクスにおける重要な問題を明らかにした。つまり,異なる系における界面電荷移動動力学及び,分子軌道,分子配向及び分子と金属の結合のような,移動過程に影響を与える因子である。分子/分子界面を横切る電荷移動も簡単に追及した。Copyright 2008 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (2件):
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物理的手法を用いた吸着の研究  ,  光電子放出 
タイトルに関連する用語 (5件):
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