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J-GLOBAL ID：200902285664887440   整理番号：07A0319764

高移動度In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As変調ドープ電界効果トランジスタ構造の表面におけるFermiエネルギーピン止め

Fermi energy pinning at the surface of high mobility In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As modulation doped field effect transistor structures
著者 (2件)：
SKURAS E.

SKURAS E. について

(Dep. of Materials Engineering, Univ. of Ioannina, Ioannina 45 110, GRC)

Dep. of Materials Engineering, Univ. of Ioannina, Ioannina 45 110, GRC について

, 
STANLEY C. R.

STANLEY C. R. について

(Dep. of Electronics and Electrical Engineering, Oakfield Avenue, Univ. of Glasgow, Glasgow, G12 8LT, GBR)

Dep. of Electronics and Electrical Engineering, Oakfield Avenue, Univ. of Glasgow, Glasgow, G12 8LT, GBR について


資料名：
Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)

Applied Physics Letters について


巻： 90  号： 13  ページ： 133506-133506-3  発行年： 2007年03月26日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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高移動度In<sub>0.53</sub>Ga<sub>0...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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*FET【トランジスタ】

FET【トランジスタ】 について

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準シソーラス用語：
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*電界効果トランジスタ

電界効果トランジスタ について

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分類 (2件)：
分類
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トランジスタ 
(NC03070N)

トランジスタ について

,  半導体薄膜 
(BK14040E)

半導体薄膜 について

タイトルに関連する用語 (5件)：
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高移動度

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, 
変調ドープ

変調ドープ について

, 
電界効果トランジスタ

電界効果トランジスタ について

, 
Fermiエネルギー

Fermiエネルギー について

, 
ピン止め

ピン止め について


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