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J-GLOBAL ID：200902285744868170   整理番号：08A0649672

32nmノードリソグラフィー用の1.3NA装置によるパターン形成の方法と性能

Patterning Strategy and Performance of 1.3NA Tool for 32nm Node Lithography

著者 (19件)： MIMOTOGI Shoji (TOSHIBA CORP.) ,  SATAKE Masaki (TOSHIBA CORP.) ,  KITAMURA Yosuke (TOSHIBA CORP.) ,  TAKAHATA Kazuhiro (TOSHIBA CORP.) ,  KODERA Katsuyoshi (TOSHIBA CORP.) ,  FUJISE Hiroharu (TOSHIBA CORP.) ,  EMA Tatsuhiko (TOSHIBA CORP.) ,  SHO Koutaro (TOSHIBA CORP.) ,  ISHIGO Kazutaka (TOSHIBA CORP.) ,  KONO Takuya (TOSHIBA CORP.) ,  ASANO Masafumi (TOSHIBA CORP.) ,  YOSHIDA Kenji (TOSHIBA CORP.) ,  KANAI Hideki (TOSHIBA CORP.) ,  KYOH Suigen (TOSHIBA CORP.) ,  HARAKAWA Hideaki (TOSHIBA CORP.) ,  NOMACHI Akiko (TOSHIBA CORP.) ,  ISHIDA Tatsuya (TOSHIBA CORP.) ,  MIYASHITA Katsura (TOSHIBA CORP.) ,  INOUE Soichi (TOSHIBA CORP.)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 6924  号： Pt.1  ページ： 69240M.1-69240M.9  発行年： 2008年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 照射線量-集光余裕度を考慮して,1.3NA装置による32nmノードのリソグラフィー条件を設計した。1.3NA装置の分解能を推定するために,ライン/スペース層では画像コントラスト,コンタクトホール層では積分強度を規定した。シミュレーションと実験から,設計ルールの目標は最小ライン/スペース100nm,最小コンタクトホールピッチ120nmとし,att.PSMマスクによる一回露光とした。1.3NA装置のパターン形成性能をランダム論理配置とSRAM配置に対して示した。孤立パターンにはSRAFを採用して焦点深度許容度を上げ,50nmの孤立線パターンと70nmの孤立スペースパターンには十分な余裕度を設定した。

シソーラス用語： *フォトリソグラフィー ,  開口数 ,  *パターン形成 ,  *プロセス設計 ,  照射線量 ,  集光 ,  許容量 ,  空間分解能 ,  コントラスト ,  コンタクトホール ,  計算機シミュレーション ,  フォトマスク ,  露光 ,  配置設計 ,  SRAM
準シソーラス用語： PSM ,  *露光装置

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (3件)： 32nmノード ,  リソグラフィー ,  パターン形成