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J-GLOBAL ID：200902285912050072   整理番号：04A0076487

カーボンナノチューブ成長における二酸化シリコンの厚さ依存性

Silicon oxide thickness-dependent growth of carbon nanotubes

著者 (5件)： CAO A (Rensselaer Polytechnic Inst., New York) ,  AJAYAN P M (Rensselaer Polytechnic Inst., New York) ,  RAMANATH G (Rensselaer Polytechnic Inst., New York) ,  BASKARAN R (Univ. California, California) ,  TURNER K (Univ. California, California)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 84  号： 1  ページ： 109-111  発行年： 2004年01月05日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Siを除くSiO₂上でのカーボンナノチ...

シソーラス用語： *ナノチューブ ,...

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分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  原子・分子のクラスタ  (BH09030O)

タイトルに関連する用語 (4件)： カーボンナノチューブ ,  成長 ,  二酸化シリコン ,  厚さ依存性