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J-GLOBAL ID：200902286009913400   整理番号：09A0163892

無線設備応用のための48V GaN HFET素子技術の特性化および熱解析

Characterization and Thermal Analysis of a 48V GaN HFET Device Technology for Wireless Infrastructure Applications

著者 (12件)： GREEN B. M. (Freescale Semiconductor, Inc., Arizona) ,  HENRY H. (Freescale Semiconductor, Inc., Arizona) ,  SELBEE J. (Freescale Semiconductor, Inc., Arizona) ,  CLAYTON F. (Freescale Semiconductor, Inc., Arizona) ,  MOORE K. (Freescale Semiconductor, Inc., Arizona) ,  CDEBACA M. (Freescale Semiconductor, Inc., Arizona) ,  ABDOU J. (Freescale Semiconductor, Inc., Arizona) ,  LIU C-L. (Freescale Semiconductor, Inc., Arizona) ,  HARTIN O. (Freescale Semiconductor, Inc., Arizona) ,  HILL D. (Freescale Semiconductor, Inc., Arizona) ,  MILLER M. (Freescale Semiconductor, Inc., Arizona) ,  WEITZEL C. E. (Freescale Semiconductor, Inc., Arizona)
資料名： IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest  (IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest)
巻： 2008 Vol.3  ページ： 912-915  発行年： 2008年 
JST資料番号： A0636A  ISSN： 0149-645X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： この10年間,商業用および軍事RF電力増幅器のための強力な次世代候補者としてGaN(ガリウムナイトライド)素子技術への関心が高まってきている。GaNの利点は,3MV/cmという高い降伏電圧と,AlGaN/GaNヘテロ接合チャネルにおける高いシート密度である。本論文では,DC,パルスI-V特性,小信号用フリースケール48V GaN HFET素子の製作と,増幅器システムの観点で重要な素子パラメータの特性化につき報告した。7.6W/mmの出力レベルにおける約300°Cという最大接合温度と,代表的AB級の線形応用で予想される出力電力ではバックオフにより接合温度は200°C以下に維持可能であるという熱解析結果を示した。しかしドレイン変調およびEER(包絡線除去および復元)応用において増幅器は連続波近傍での動作が理想となるため,全体的な増幅器効率向上を目的として,より熱効率のよいパッケージングあるいはより高効率モードの増幅器動作が必要となる。

シソーラス用語： *無線局 ,  *窒化ガリウム ,  FET【トランジスタ】 ,  *キャラクタリゼーション ,  熱分析 ,  電力増幅器 ,  温度 ,  動作 ,  線形増幅器 ,  ドレイン【半導体】 ,  熱シミュレーション
準シソーラス用語： AB級 ,  GaN ,  *HFET ,  接合温度 ,  *特性化 ,  熱解析

分類 (3件)： マイクロ波・ミリ波通信  (ND08020W) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 無線設備 ,  応用 ,  GaN ,  HFET ,  特性化 ,  熱解析