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J-GLOBAL ID：200902286066418327   整理番号：09A0809073

有機金属化学蒸着によって成長させたN極性GaNとInGaN薄膜の発光特性

Luminescence Characteristics of N-Polar GaN and InGaN Films Grown by Metal Organic Chemical Vapor Deposition

著者 (8件)： MASUI Hisashi (Univ. California, CA, USA) ,  KELLER Stacia (Univ. California, CA, USA) ,  FELLOWS Natalie (Univ. California, CA, USA) ,  FICHTENBAUM Nicholas A. (Univ. California, CA, USA) ,  FURUKAWA Motoko (Univ. California, CA, USA) ,  NAKAMURA Shuji (Univ. California, CA, USA) ,  MISHRA Umesh K. (Univ. California, CA, USA) ,  DENBAARS Steven P. (Univ. California, CA, USA)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 48  号： 7,Issue 1  ページ： 071003.1-071003.5  発行年： 2009年07月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： N極性とGa極性のGaN及びInGaN/GaN多重量子井戸(MQW)薄膜を有機金属化学蒸着によって調製し,光学特性を比較するために低温で光ルミネセンスを評価した。標準の高い温度で成長させたN極性とGa極性GaNは,試験温度の光ルミネセンスは同程度である一方,N極性InGaNのMQW品質はGa極性対応物より劣っており,それは,300Kから10Kまでの発光強度の大幅な増強と広い発光ピークに帰されるN極性InGaNMQWの観測されない10Kのフォノンレプリカで確認できた。さらにN極発光ダイオード試料のエレクトロルミネセンスの研究から,N極試料の不十分な発光は,電場効果に関係するのではないことを示した。残留不純物(CとO)の影響を二次イオン質量分析によって強く示唆し,N極性InGaNMQWの不十分な発光特性は,低温で成長したN極性(In,Ga)N層中の増大した残留不純物濃度が主に原因するという結論に至った。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 化合物半導体 ,  *半導体薄膜 ,  窒化ガリウム ,  インジウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  窒化物 ,  *多重量子井戸 ,  MOCVD ,  *光ルミネセンス ,  発光スペクトル ,  極性 ,  温度依存性 ,  スペクトル線強度 ,  スペクトル線幅 ,  発光ダイオード ,  *エレクトロルミネセンス ,  不純物 ,  二次イオン質量分析
準シソーラス用語： 窒化ガリウムインジウム ,  不純物効果

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

引用文献 (39件)：

• F. Bernardini, V. Fiorentini, and D. Vanderbilt: Phys. Rev. B 56(1997) R10024.
• H. Masui and S. Nakamura: Mater. Sci. Forum 590(2008)211.
• O. Ambacher, J. Smart, J. R. Shealy, N. G. Weimann, K. Chu, M. Murphy, W. J. Schaff, L. F. Eastman, R. Dimitrov, L. Wittmer, M. Stutzmann, W. Rieger, and J. Hilsenbeck: J. Appl. Phys.85(1999)3222.
• M. Stutzmann, O. Ambacher, M. Eickhoff, U. Karrer, A. Lima Pimenta, R. Neuberger, J. Schalwig, R. Dimitrov, P. J. Schuck, and R. D. Grober: Phys. Status Solidi B 228(2001)505.
• S. Rajan, A. Chini, M. H. Wong, J. S. Speck, and U. K. Mishra: J. Appl. Phys.102(2007)044501.

タイトルに関連する用語 (7件)： 有機金属化学蒸着 ,  成長 ,  極性 ,  GaN ,  InGaN ,  薄膜 ,  発光特性